從報道獲悉,美光計劃到 2026 年開始使用依賴于極紫外(EUV)光刻的 1γ 工藝(第三代 10 納米級節(jié)點)大批量生產(chǎn)復雜的存儲芯片,因此該公司需要盡快獲得資金。
日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省為期兩年的 2 萬億日元(133.85 億美元)的龐大預算明確用于與半導體投資相關的補貼。其中,臺積電熊本工廠獲得高達 4760 億日元(31.857 億美元)的資金,鎧俠與西數(shù)的合作得到了價值 929 億日元(6.21 美元)的補貼支持。
此次對半導體公司的巨額資金注入凸顯了日本致力于減少對海外芯片供應商的依賴并重建國內(nèi)半導體行業(yè)的承諾。日本旨在通過加強國內(nèi)能力來規(guī)避與國際供應鏈中斷相關的潛在風險,從而確保關鍵技術部件的平穩(wěn)和強勁的內(nèi)部供應。