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韓國(guó)發(fā)布半導(dǎo)體未來(lái)技術(shù)路線圖 確保存儲(chǔ)及代工的“超級(jí)差距”

2023-05-09 15:34:24   作者:   來(lái)源:集微網(wǎng)   評(píng)論:0  點(diǎn)擊:


  據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,韓國(guó)政府計(jì)劃未來(lái)10年保持存儲(chǔ)和代工行業(yè)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的“超級(jí)差距”,以及系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的“新差距”,發(fā)布未來(lái)核心技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖。

  報(bào)道稱,韓國(guó)科學(xué)與信息通信技術(shù)部5月9日公布了未來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)路線圖,并成立了由三星、SK海力士等代表組成的未來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)公私合作咨詢機(jī)構(gòu)。

  其新頒布的45項(xiàng)核心技術(shù)的路線圖包括:新設(shè)備存儲(chǔ)器和下一代設(shè)備的開(kāi)發(fā);人工智能、第6代移動(dòng)通信(6G)、電力、汽車半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的原始技術(shù)開(kāi)發(fā);超高性能原始工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)微型化和先進(jìn)封裝等,目標(biāo)是獲得相關(guān)技術(shù)10年。

  在新器件領(lǐng)域,計(jì)劃重點(diǎn)培養(yǎng)鐵電器件、磁性器件和憶阻器三大未來(lái)器件技術(shù),開(kāi)發(fā)下一代存儲(chǔ)器件。

  在設(shè)計(jì)領(lǐng)域,其設(shè)定的目標(biāo)是首先支持AI、6G、電源等下一代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù),并在2025年后通過(guò)韓國(guó)政府對(duì)汽車半導(dǎo)體的大力支持實(shí)現(xiàn)未來(lái)出行。

  在工藝領(lǐng)域,決定發(fā)展原子層沉積、異質(zhì)集成、三維(3D)封裝等技術(shù),增強(qiáng)晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)力。

  此前,韓國(guó)科學(xué)和信息通信技術(shù)部強(qiáng)調(diào),自去年5月以來(lái),產(chǎn)學(xué)官共同制定了路線圖,并在韓國(guó)首次制定了半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖。

  韓國(guó)不斷致力于本土半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展,上個(gè)月,韓國(guó)政府宣布了“三大技術(shù)超級(jí)差距研發(fā)戰(zhàn)略”,將投資160萬(wàn)億韓元用于確保半導(dǎo)體、顯示器和下一代電池的技術(shù)。

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