據(jù)韓媒報(bào)道，知情人士稱，三星電子近日在其半導(dǎo)體研究中心內(nèi)組建了一個(gè)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2DRAM。公司目標(biāo)是將4F2DRAM存儲(chǔ)單元應(yīng)用于10納米以下的DRAM制程，以目前的技術(shù)預(yù)計(jì)會(huì)面臨線寬縮減的極限。

　　據(jù)報(bào)道，如果三星4F2DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)研究成功，在不改變節(jié)點(diǎn)的情況下，與現(xiàn)有的6F2DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)相比，芯片DIE面積可以減少30%左右，將面臨線寬減小的極限。4F2結(jié)構(gòu)是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，據(jù)說(shuō)工藝難點(diǎn)頗多。資料顯示，與8F2相比，6F2可以減少25-30%的面積。

　　近日，多位半導(dǎo)體和證券業(yè)人士透露，三星電子第二季度的DRAM芯片出貨量預(yù)估環(huán)比增加約15%-20%，扭轉(zhuǎn)第一季度環(huán)比下滑10%左右的頹勢(shì)。SK海力士第二季度DRAM芯片環(huán)比預(yù)料增加30%-50%，高于市場(chǎng)共識(shí)的20%。機(jī)構(gòu)表示，隨著三大廠商均已開(kāi)始減產(chǎn)，存儲(chǔ)芯片的需求將在2023年三季度回升，擺脫供應(yīng)過(guò)剩的情況。預(yù)計(jì)2023年全年，DRAM產(chǎn)量年增長(zhǎng)率將只有5%。